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英特爾希望回到推進(jìn)芯片制造過程與即將到來的7-nm每兩年的過程。

英特爾自豪讓電腦更快,更便宜、更小,但近年來,該公司失去了芯片制造優(yōu)勢,必須實(shí)現(xiàn)它。
該公司沒有跟上自己的最后期限提前芯片技術(shù),并處理尷尬的產(chǎn)品延遲。
近年來,英特爾沒有能夠推動芯片制造過程定期兩年一個周期,在一個時間表已經(jīng)幾十年了。
后遇到挑戰(zhàn)參與制造時髦的芯片,英特爾正在推進(jìn)芯片生產(chǎn)過程每兩年半。它與當(dāng)前14-nanometer制造過程,并預(yù)計(jì)其即將到來的soi硅過程,首席財(cái)務(wù)官Stacy Smith在本周的一次演講中說在摩根士丹利(Morgan Stanley)技術(shù)、媒體和電信會議。
但英特爾希望在即將到來的7-nm過程結(jié)束半年的疏忽,當(dāng)它希望回到推進(jìn)芯片制造每兩年,史密斯說。
“我們想要兩年,但是我們沒有,”史密斯說�！拔覀冎皇强�7-nm作為潛在的時間的技術(shù)轉(zhuǎn)變,可能會讓我們回到兩年的節(jié)奏。”
英特爾芯片制造業(yè)的進(jìn)步基于觀察稱為摩爾定律,即晶體管密度應(yīng)該每兩年翻一番,而每晶體管成本下降。英特爾的目標(biāo)是回到按照摩爾定律,這幾十年來公司起到很好的作用。
制造問題14納米的過程中導(dǎo)致了英特爾芯片制造進(jìn)展放緩2.5左右的時間框架。導(dǎo)致產(chǎn)品延遲和批發(fā)芯片發(fā)布計(jì)劃的變化。
一個問題:英特爾通常釋放兩個芯片架構(gòu)一個制造過程,但是第一次將與14-nanometer釋放三個過程。英特爾發(fā)布了芯片代號為Broadwell Skylake,今年晚些時候?qū)⒐�布芯片代號為Kaby湖。
第一個芯片基于10納米的過程,代號為Cannonlake,將會在2017年下半年。
回到摩爾定律的時間表取決于一種新技術(shù)叫做EUV(極端紫外線光刻技術(shù)),這可以消除一些相關(guān)的復(fù)雜性使更小的芯片。
EUV 7-nm過程可能會采取行動。技術(shù)使用紫外線來傳輸電路模式在硅片使用口罩。EUV現(xiàn)在不能使用,因?yàn)椴淮嬖诘墓ぞ摺?br /> 作為芯片變得更小,生產(chǎn)過程中的錯誤的機(jī)會也增加了。當(dāng)前的多重圖像光刻技術(shù)中使用英特爾的14納米的過程——不要讓英特爾進(jìn)一步減少芯片尺寸,史密斯說。
有可能EUV工具將早于預(yù)期,這樣他們就可以實(shí)現(xiàn)在soi硅過程中,但英特爾不是計(jì)劃,然而,史密斯說。
英特爾已經(jīng)失去了它的制造業(yè)優(yōu)勢競爭對手三星,臺積電和GlobalFoundries,但搬到soi硅過程應(yīng)該把它放在最上面。三星和GlobalFoundries正在14納米芯片,沒有共享的計(jì)劃推進(jìn)芯片制造過程。
對英特爾來說,跟上摩爾定律和兩年制造業(yè)進(jìn)步是昂貴的。芯片制造商在2015年估計(jì)將需要花2700億美元在10年時間內(nèi)生產(chǎn)和發(fā)展,從1040億年的約1040億美元。估計(jì)包括晶片的成本,像EUV人力和工具。
超出EUV,材料可以幫助英特爾生產(chǎn)的進(jìn)步更快和更低功耗芯片。英特爾提出使用氮化鎵(氮化鎵)部分替代硅芯片。氮化鎵是一種更好的導(dǎo)體和執(zhí)行速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅,它最初是用于電力監(jiān)管機(jī)構(gòu)和其他組件。